1、fet的意思是vt.去拿；去取；去接；费特；场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）。abbr. 远东时间（Far East Time）；场效应晶体管（Field Effect Transistor）；美国联邦货物税（Federal Excise Tax）。n. （Fet）人名；（俄、塞）费特。
2、FET是“Field Effect Transistor，场效应晶体管”的英文缩写，它是由p型半导体和n型半导体所构成的pn结组成。场效晶体管（场效应晶体管、场效应管）是一种用电场效应来控制电流的电子器件。场效应晶体管是一种三极管，包括源极、栅极和漏极。
3、总的来说，FET是一种基于电场效应控制电流流动的半导体器件，具有高频率特性、良好的热稳定性和优秀的驱动能力等特点，在现代电子系统中有着广泛的应用。
FinFET，全称为鳍式场效晶体管（Fin Field-Effect Transistor），是一种创新的互补式金属氧化物半导体（CMOS）晶体管设计。它的名称来源于其独特的结构，类似于鱼鳍的形状，因此得名。这种新型晶体管技术的主要特点是通过在硅片上添加一系列纵向延伸的鳍状结构，以增强电荷控制和电流导向。
FinFET：半导体世界的新革命 FET，电子工程师心中的基石，代表Field-Effect Transistor，即场效应晶体管。然而，当谈到FinFET，我们进入的是一个更为精微的半导体技术领域，它是Fin Field-Effect Transistor，一个以创新设计为特点的晶体管类型。要理解FinFET，我们首先得回溯到晶体管的起源和演变之路。
FinFET，全称为Fin Field-Effect Transistor，是晶体管技术的一种演进，用于提升晶体管性能，减少漏电现象。传统晶体管，如MOSFET，面临制程微缩的挑战时，漏电问题变得严重。
1、FET即场效应晶体管，是一种电压控制器件，具有高输入阻抗、大功率增益和低噪声。FET有三个极性：栅极、漏极和源极。JFET和MOSFET是FET的两种主要类型，都具有高输入电阻，但并不具备BJT的高增益，且线性性能优于FET。MOSFET是金属-氧化物半导体场效应管，是一种重要的场效应管。
2、电子技术的新篇章：深入探索FET与MOSFET的世界 FET：电压控制的革新力量/ FET，即场效应晶体管，作为电压控制的电子元件，以其卓越的输入阻抗和低噪声特性而闻名。它是从传统三极管原理中衍生出的下一代放大元件，拥有三个极性：栅极、漏极和源极。
3、在微电子设备制造中，fet技术可用于制备高精度、高可靠性的薄膜材料。在光学领域，它可以用于制备光学薄膜，提高光学器件的性能。在材料科学研究领域，fet技术可用于研究材料的物理性能和化学性能，为新材料的设计和开发提供重要依据。发展前景 随着科技的不断发展，fet技术的应用领域将会越来越广泛。
4、FET是指场效应晶体管的缩写。以下是关于FET的详细解释：定义与概述 场效应晶体管是一种半导体器件，它利用电场效应来控制电流的流动。由于其具有高频特性好、热稳定性强、驱动能力大等优点，因此在现代电子系统中得到了广泛的应用。
1、FinFET，全称为鳍式场效晶体管（Fin Field-Effect Transistor），是一种创新的互补式金属氧化物半导体（CMOS）晶体管设计。它的名称来源于其独特的结构，类似于鱼鳍的形状，因此得名。这种新型晶体管技术的主要特点是通过在硅片上添加一系列纵向延伸的鳍状结构，以增强电荷控制和电流导向。
2、FinFET工艺技术与传统平面MOSFET截然不同，前段采用立体结构，融合了HKMG技术和应变硅技术，而后期则沿用铜制程的大马士革工艺。工艺难点在于精细控制Fin的形状，其尺寸是栅长的0.67倍，以22nm工艺为例，Fin的宽度仅为167nm，这远超出了传统光刻技术的极限。
3、随着半导体技术的显著进步，FinFET（鳍式场效应晶体管）的闸长已经缩小到了令人惊叹的25纳米，甚至有望进一步减小至仅为9纳米，这相当于人类头发宽度的1万分之一。这样的微小尺寸使得芯片设计的可能性变得无限，设想一下，未来的超级计算机可能只需指甲盖大小就能实现。
4、FinFET：半导体世界的新革命 FET，电子工程师心中的基石，代表Field-Effect Transistor，即场效应晶体管。然而，当谈到FinFET，我们进入的是一个更为精微的半导体技术领域，它是Fin Field-Effect Transistor，一个以创新设计为特点的晶体管类型。要理解FinFET，我们首先得回溯到晶体管的起源和演变之路。
5、GAA通过在通道周围四面包夹栅极，实现全环绕控制，彻底解决了漏电问题。当前，三星选择直接采用GAA技术，而台积公司则尝试深化改进FinFET技术。在2nm制程上，两巨头均转向了GAA，预示着GAA技术将接替FinFET，成为半导体产业的下一代技术。
1、FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。工作原理 闸长已可小于25纳米，未来预期可以进一步缩小至9纳米，约是人类头发宽度的1万分之1。
2、FinFET的创新之处在于，它源于标准晶体管—场效晶体管（FET）的革新设计。在传统的晶体管中，控制电流流动的闸门仅在单侧起作用，实现电路的接通和断开，其结构是平面的。
3、FinFET的工作原理在于，其闸门采用类似鱼鳍的3D架构，而非平面结构，能够在电路的两侧控制电路的接通与断开。如图所示，栅极从三面包围着沟道，通过立体结构增强了栅极的控制能力。加上电压后，形成反型层导电沟道，控制载流子流动，从而实现最基本的开关作用。
4、对称多处理 （Symmetric Multi-Processing，简称 SMP ）是目前使用最多的模式。在SMP模式下，一个操作系统同等地管理着各个CPU核心，并为各个核心分配工作负载。目前，大多数的操作系统都支持SMP模式，例如Linux，Windows，Vxworks等。另外，这种模式通常用在同构多核CPU上，因为异构多核CPU的结构不同，实现SMP比较复杂。
1、第一章：半导体的基石 1 精炼笔记——掌握半导体的基石，从这里开始 深入理解半导体器件，如二极管（表1-1-1），晶体管（表1-1-2）和场效应管（表1-1-9），是学习模拟电子技术的基石。
2、第1章 常用半导体器件本章首先介绍了半导体基础，接着深入讲解二极管、晶体管（BJT）和场效应管（FET）的原理、特性曲线和关键参数。半导体器件是模拟电路设计的基石，理解它们是后续学习的基础。半导体基础知识：为理解器件工作，需掌握基本术语（见相关表格）。
3、复试包括笔试和面试两大部分，笔试的考试科目主要包括两门：（1）《普通物理学》第七版，程守洙，高等教育出版社2016年版，第一章、第二章、第七章到第十二章； （2）《模拟电子技术基础》第五版，童诗白，高等教育出版社2015年版，第二章、第三章、第五章到第九章。